赛默飞世尔

Helios NanoLab™ DualBeam™ (FIB/SEM)！

日期：2016-10-12 09:03

快速、易用、绝佳图像质量

纳米级物质成像、分析和控制 — 这些未来研发的关键因素 — 因 Helios NanoLab DualBeam 系列仪器的诞生而变得普通平淡。这些仪器融合了扫描电子显微镜 (SEM) 和聚焦离子束 (FIB) 技术，包括创新的气体化学、检测器和操纵器。凭借无与伦比的 SEM 分辨率、图像质量和令人惊叹的 Tomahawk™ FIB 性能，半导体和数据存储实验室、研究机构和工业界均可轻松快捷地实现样品成像、铣蚀或制备。

主要优点

Helios NanoLab 系列仪器代表了 FEI 在场发射扫描电子显微镜 (FESEM) 和聚焦离子束 (FIB) 技术及两者结合使用方面取得的最新进展。作为 FEI 的第 11 代 DualBeam 平台，旨在深刻体验全新的超高分辨率二维和三维表征、高质量样品制备和纳米原型制造世界。

Helios NanoLab 600i 在离子束、电子束、图形和众多功能方面取得显著改进，进而实现实验室标准应用的纳米级铣蚀、成像、分析和样品制备。

Helios NanoLab 1200 DualBeam 是一款可用于300mm晶片的平台. 在需要保证晶片不受损伤的条件下它有无可比拟的性能. FEI在完整晶片上的双束DualBeam技术得益于FEI的电子和离子光学, 它可在前所未有的高分辨率下完成完整晶片上透射电镜样品制备, 缺陷表征和分析

Helios NanoLab 450S 极为适合高生产量、高分辨率 S/TEM 样品制备、成像和分析。独有的 FlipStage 和原位 STEM 探测器可在数秒内实现从样品制备到 STEM 成像，同时不会破坏真空状态或让样品暴露于环境。

规格

电子束

离子束

试件室尺寸

Helios NanoLab 650

分辨率：

-- 0.8 nm @ 15 kV

-- 0.9 nm @ 1 kV

着陆电压：

50 V - 30 kV

探针电流：

<= 26 nA

最大水平场宽：

2.3 mm/射束重合点 (WD 4 mm)

分辨率：

4.5 nm @ 30 kV

着陆电压：

500 V - 30 kV

探针电流：

1.5 pA - 65 nA

最大水平场宽：

1.0 mm/5 kV/射束重合点

最大样品尺寸和宽度：

150 毫米直径、360 度旋转（更大尺寸样品、有限角度旋转）

样品台和重合点之间的最大间隙：

55 mm

重量：

最大 500 克（包括样品架）、特定性能
真空：

< 2.6 * 10^-6 mbar

Helios NanoLab 1200

分辨率：

-- 0.9 nm @ 15 kV

-- 1.4 nm @ 1 kV

/最佳工作距离

加速电压：

350 V - 30 kV

探针电流：

<= 22 nA

最大水平场宽：

1.5 mm/射束重合点 (WD 4 mm)

分辨率：

5.0 nm @ 30 kV

加速电压：

500 V - 30 kV

探针电流：

1.5 pA - 20 nA (15 位置光圈带)

最大水平场宽：

1.0 mm/5 kV/射束重合点

最大尺寸：

最大 300 号码直径的整块晶圆、全行程和360度旋转；最大 50 毫米的晶圆断片、小部件托架
最大厚度：

2 毫米晶圆厚度

真空：

< 2.6 * 10^-6 mbar