赛默飞世尔

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Vion 等离子聚焦离子束!

日期:2016-10-12 09:06

 

 

创新的等离子 FIB 源技术

Vion PFIB 是一款具有高精度、高速度切割和铣蚀能力的仪器。 其具有选择性铣蚀所关注区域的能力。 此外,PFIB 可以选择性沉积带图案的导体和绝缘体。 高速铣蚀和精密控制的结合可确保该系统以多种方法应用于集成电路的制造,如:

·     l  凸起物、焊线、TSV 和晶片堆叠失效分析

·     l  手术刀般移除封装和材料,实现嵌入芯片块的失效分析和故障隔离

·  l   适用于封装级流程监控和开发封装部件和 MEMS 设备的缺陷分析

主要优点

借助较传统镓离子 FIB 20 倍的铣蚀速度提高生产效率

快速精确的横截面操作可揭示缺陷和表面下方特征

铣蚀和成像射束电流变化范围宽广(从数 pA 1 μA 以上)

使用沉积化学来保护表面特征

可选的电荷中和器功能可实现对带电结构进行切片

可选的背面硅使用、专利同轴气体输送喷嘴

通用硬件和软件架构以及其他 FEI FIBSEM DualBeam 仪器

 

规格

Vion 等离子聚焦离子束

 

离子源

Xe+ 电感耦合等离子 (ICP)

加速 电压

2 - 30 kV

束电流

1.5 pA - 1.3 µA

图像分辨率

< 30 nm

样品台

5 轴电动同心

XY 移动 150 mm

倾角 -10° - 60°

360° 旋转

操作系统

基于 Windows®